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第978章 抹黑与无力挣扎（第1页）

第978章抹黑与无力挣扎~

自从《探索》期刊发布了两篇和碳基芯片相关的论文以来，硅基半导体产业界就像是海底喷发的火山般，掀起了惊天骇浪。

碳基芯片技术突破，硅基芯片即将落幕。

这一惊天动地的消息，还是由当今学术界最出名的徐川教授亲手公开的，这对于全世界任何一个国家来说都是爆炸性的消息。

这几天以来，无论是以米国为首的西方国家，还是掌握了硅基半导体产业链的民间资本，都陷入了一阵恐慌中。

几乎所有人都在担心，资本家在担心碳基芯片取代硅基芯片，担心碳基半导体占据硅基半导体的市场，自己失去垄断的地位和无尽的财富。

而普通人也在担心，担心自己随时被公司企业裁员。

毕竟硅基芯片与硅基半导体产业一旦开始落幕，那么占据着这个庞大无比市场的资本必然会从中撤离。

而裁员，往往是最有效的方法之一。

市场不再广袤，还养着那么多人做什么？

一时间，整个依赖硅基半导体产业为生的群体，都人心惶惶的。

从普通员工到公司中高层，乃至顶层拿着股份的打工皇帝或者资本，都在恐惧着未来。

不过就在这时，针对碳基芯片技术突破的质疑，犹如雨后春笋一般冒了出来。

而首先提出相关质疑的，是世界著名的半导体技术与科学杂志《JSTS期刊》。

该期刊的旨在为从事更广泛集成电路技术的研发人员提供一个论坛和交流讨论的地方，提高整体超大规模集成电路技术。

JSTS的主编在对外接受采访的时候表示，《探索》上公开的两篇论文可能存在严重的问题。

他们联合了米国加州理工大学半导体领域的顶尖大牛霍布斯·韦伯斯特教授一起研究了《探索·总刊》，发现上面公开的数据存在着异常情况。

比如《探索·总刊》公开的实验数据中，碳基芯片的热设计功耗TDP仅仅只有30W，而主频却高达5.8GHz

即便是碳基材料在半导体领域有着优势，但按照数据推算，成品碳基芯片也不可能达到如此夸张的性能数据。

为此，他们还给出了完整的模拟计算数据和性能，按照每平方毫米集成一千万颗碳基晶体管的数据，模拟出来的碳基芯片在性能上仅仅只有论文上的一半不到。

简而言之，《探索·总刊》上公开的论文上的实验数据，可能存在编造和夸大的情况。

不得不说，在半导体领域，《JSTS期刊》的影响力还是相当大的，当这篇采访报道出来的时候，立刻就在半导体技术与科学论坛上掀起了不小的讨论。

在不少从事硅基半导体产业研究的学者或科研人员看来，加州理工大学霍布斯·韦伯斯特教授公开的这份模拟数据的确很有意思。

碳基芯片的性能究竟能达到一个怎样的层次，《探索·总刊》上的实验数据到底有没有造假，在这个本就占据了热搜的时间点，掀起了不小的讨论。