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第610章 国产光刻机的研发进程至少缩短了十年（第1页）

自从星源科技与华科协会下属的光电所，联手研发出了‘磁约束放电等离子体光源’（即MDP）技术后，便开始着手攻克光刻机的第二大技术壁垒——光学系统。

毕竟，单是‘造出光’还不行，还得‘用好这束光’，才能完成晶圆曝光，进而实现芯片的生产制造。

可让陈延森顿感无奈的是，国内EUV光源激发方式的主流研发方向，基本以激光产生等离子体、放电等离子体或者激光诱导放电等离子体为主。

而星源科技光学部绝大多数工程师的技能和项目经验，都与研发需求不匹配。

所以在研发配套光学系统时，进度极为缓慢。

要知道，EUV光几乎会被所有物质吸收，因此无法使用传统的玻璃透镜，整个光路必须在真空环境中使用反射式光学系统。

收集镜、照明系统、投影物镜系统、掩膜版和掩膜台都得设计配套的技术方案。

MDP-EUV光源技术确实走出了一条独特的新路，但这种创新并非没有代价。

一切障碍，都要自己去扫平。

陈延森在获悉光学部的研发进度后，立马就绝望了。

他心里清楚，若不给这帮人指条明路，恐怕五年、十年，都没法往前迈出一步。

不得不说，他高估了林南团队的水平。

他没想到，这么简单的配套技术方案，林南等人却在正确的路口边缘，足足蹭了四五十天，却无丝毫进展。

于是，陈延森在开发出脉思（Mass）V1.0后，又马不停蹄地设计出了“多壳层掠入射椭圆收集镜系统”。

这玩意本质上是一套精密的多层膜镜子，可以高效捕获EUV光源，并将其初步聚焦引导至照明系统里。

难点主要有两个：收集效率和抗损伤能力。

前者是因为EUV光线是向四面八方发散的，若想提升收集效率，就得设计复杂的多镜拼接结构，同时保证每片镜子的角度校准精度都要达到微米级。

然而，任何角度上的偏差都会导致光线漏失，从而影响到收集效率。

后者是因为等离子光源被激发后，会产生极高的温度，这就需要超强的抗损伤能力。

收集效率要求多层膜具备“薄、匀、纯、无遮挡”等特性，以最大化反射率和角度适配性。

而抗损伤能力要求多层膜又得“厚、硬、耐侵蚀”，必须增加额外保护层的材料。

听起来很矛盾，但这也正是收集镜的技术难点所在。

陈延森设计的这套“多壳层掠入射椭圆收集镜系统”，便很好地平衡了收集效率与抗损伤能力。

不仅能够高效捕获由高功率脉冲放电、轰击金属锡靶产生的13.5纳米EUV光，还能将其汇聚到远处的中间焦点，为后续的照明系统提供足够功率且均匀的光束。

与此同时。

林南很快就发现了这封加密邮件，在打开技术文档后，先匆匆扫了一眼，接着就愣在了原地。

老板发来的这套方案太完整了，从光学设计的构型、入射角，再到基底材料、反射涂层、热管理子系统和电磁场碎屑减缓系统，甚至连镀膜工艺的参数表、误差校准的算法模型都附带在内。

此前光学部争论了半个月的“多镜拼接角度偏差”问题，文档里直接给出了“激光干涉实时校准”的解决方案，就连校准用的激光波长、采样频率都标注得一清二楚。

林南猛地站起身，声音都有些发颤：“这简直是把答案写了出来！”

技术文档里没署名，这套技术是老板买来的、抢来的，还是说除了星源科技光学部，森联资本其实另有研发实验室？

林南坐在工位上，忍不住胡思乱想着。