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14号,情人节。
介于昨天晚上曲某人与佐佐木元聊的非常投机,还达成了许多默契。原本参观NEC丸之内总部大楼的计划,变成了参观NEC中央研究所。
从名字就能看出来,“中央研究所”是NEC旗下一系列研究机构中规模最大的,也是成立最早的。
49年创立,从最初的材料、器件,逐渐拓展到计算机系统和软件。
75年从东京迁至神奈川县川崎市,又成立了“未来技术研究室”,专注于十到三十年后的颠覆性技术。
(小日子的“县”相当于咱们的省,“市”相当于地级市或县级市。从面积上看,“县”相当于市,“市”相当于县)
76年开发出小日子首款量产的商用采用7.5微米工艺,集成2500个晶体管的4位微处理器μCOM-4。
77年开发出“沟槽电容器”结构,使存储密度提升4倍,成功研制64KDRAM。
78年开发电子束光刻技术,将集成电路线宽从5微米缩减至1微米,突破了当时的技术极限。
曲卓这次参观的重点,就是电子束光刻技术。
不但“摸”到了NEC自己的独立项目,还“摸”到了尼康和IBM通过专利共享,合作开发的NCR-EB1A原型机?。
图片上是IBM和尼康合作,在1980年推出的EL-3电子束光刻
(NCR-EB1A的图片没找着,应该跟同源同代的EL-3差不太多)
这玩意支持?1000万像素并行投射,将线宽推进到了0.1-0.5微米(100-500纳米)。?
而时下老美GCA最先进的DSW4800步进式光刻机,最小线宽是0.5到1微米。
当然了,电子束光刻机虽然精度更高,但和光学光刻机是没法比的。
NCR-EB1A一小时只能处理几平方厘米的晶圆,DSW4800每小时可以处理接近两百片晶圆。
普通的光学掩模成本也就大几千到一万多美元,电子束用的氮化硅掩模成本在十五到二十万美元。
所以,电子束光刻机只能用来做研发、小批量生产和制作精确模板,大规模制造还是得指望光学光刻机。
可但是,这玩意虽然对量产来说没有任何意义,但对曲某人有意义呀!
直接把他“购买力”从386推进到了奔腾四,加上倍频技术,将主频从M级直接拉到了G级……
小日鬼儿之所以大方的让曲卓看他们“宝贝”,当然不是为了炫耀,或者证明什么。
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