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第九百八十四章 龙藏一代存储产品对比强悍的美光（第4页）

“这是一款采用了多维度记忆单元存储技术而制备的存储芯片！”

“相比较于传统的2DNAND，3DTLC存储芯片，它利用了碳纳米管多维度平行、垂直堆叠的方式增加了存储层数，从而在不增加芯片面积的情况下实现了更高的存储容量。”

“并且，基于碳纳米管材料的优越物理特性，它还在读写速度上实现了质的飞跃。”

“不仅耐久度相当出色的同时，还能够承受大量读写操作，确保数据中心和服务器环境中的高可靠性和稳定性。”

“而其低延迟特性使得数据库操作、实时分析等任务能够高效执行，是构建高性能企业级存储系统的理想选择。”

简单的介绍了一下龙藏一代存储芯片后，付志杰的目光在会场内扫过，微微一笑，接着说道：

“OK！话不多说，接下来让我们一起来看看它的表现！”

“哦，对了。”

似乎是想起了什么，刚要让开身份的他又回过头来，看向全场，接着补充道。

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“这次对龙藏一代存储芯片进行对比测试的，是来自美光科技的企业级，基于LPDDR5DRAM的通用闪存存储（UFS）多芯片封装产品UMCP5型号！”

当付志杰的话音落下时，现场一片哗然。

美光的UMCP5型号存储芯片，居然被星海研究院拿来当做碳基芯片·龙藏一代存储芯片的对比产品了。

要知道，这可是美光的第一款基于LPDDR5DRAM的通用闪存存储（UFS）的芯片。尽管它是2020年的产品，但UMCP5型存储芯片的性能放到今天都不差，也不过时。

其内存带宽高达6，400Mb秒，即使在处理大数据量时，也可为移动用户提供无缝、即时的体验。

且与与LPDDR4相比，功耗降低了近20%的同时，可以允许超过5，000次的擦写，成倍增加了设备的可擦写次数和数据量，而不会降低设备性能。

此外，uMCP5还集成了96层堆叠的3DNAND闪存，提供了高达256GB的存储容量，并且支持UFS3.1接口，进一步提升了存储性能和耐用性

尤其是对于手机行业来说，UMCP5型存储芯片更可谓是革命性的产品。

它将内存和存储集成在一个紧凑的封装中，显着提升了智能手机的性能和效率。

而且它的出现，有效的解决了传统智能手机中内存和存储分别占用空间大、功耗高的问题，通过将内存和存储整合在一个芯片中，极大地节省了空间和功耗，提升了设备的整体性能。

一代龙藏系列碳基存储芯片，挑选这样一个可谓是‘强大’的竞争产品在发布会现场做对比，这不由的让在场的众人都感受到了一股‘搞事’的气氛，所有人都激动了起来。

唯独一脸难看的，只有美光科技的首席执行官桑杰·梅赫罗特拉。

前一秒他还笃定了星海研究院不可能现在就制备出来了成熟的碳基芯片，下一秒，对方就将他家最引以为豪的产品，拿上了舞台作为对比陪衬品。

这让他感觉自己受到了羞辱，脸上像是被人打了一巴掌一般，火辣辣的瞬间通红。

......

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